Vishay推出具有出色传导性能并获得AEC-Q101认证的100 V汽车级P沟道MOSFET

宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州，2021年1月11日，几天前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布推出新的经AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET＆reg;。 MOSFET--SQJ211ELP可改善汽车应用中的功率密度和能效。
Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业界首款5 mm x 6 mm紧凑型PowerPAK＆reg;的鸥翼式引线结构。采用SO-8L封装的器件，但其在10 V条件下的导通电阻仅为30 mW，达到业界最佳水平。
与采用DPAK和D2PAK封装的最接近的竞争对手器件相比，几天前发布的新型汽车级MOSFET的导通电阻降低了26％和46％，占板面积分别降低了50％和76％。 SQJ211ELP的低导通电阻有助于降低导通状态功耗，从而节省能源。
在10 V条件下出色的栅极电荷仅为45 nC，从而降低了栅极驱动损耗。这款新型MOSFET可以在+ 175°C的高温下工作，满足了汽车应用的坚固性和可靠性要求，例如反极性保护，电池管理，高端负载开关和LED照明。
此外，SQJ211ELP鸥翼式引线结构还有助于改善自动光学检查（AOI）功能，消除机械应力并提高板级可靠性。该器件的100 V额定值满足12 V，24 V和48 V系统中各种常用输入电压轨所要求的安全裕度。
此外，作为p沟道MOSFET，SQJ211ELP简化了栅极驱动的设计，而无需配置n沟道器件所需的电荷泵。该MOSFET封装采用无铅（Pb），无卤素，符合RoHS要求，并经过100％Rg和UIS测试。
SQJ211ELP现在可以提供样品，并已实现批量生产。交货时间为14周。