关于新一代100 V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的分析

随着社会的飞速发展，我们的氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管也在迅速发展，那么您知道氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管的详细分析吗？接下来让编辑带领您来详细了解相关知识。 EPC最近推出了两款100 V eGaN FET（EPC2218和EPC2204），它们是增强型硅上氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导者，具有更高的性能和更低的成本。
低，可立即发货。这些先进的氮化镓器件的应用非常广泛，包括同步整流器，D类音频放大器，汽车信息娱乐系统，DC / DC转换器（硬开关和谐振），以及全自动驾驶汽车，机器人和无人驾驶汽车。
飞机的激光雷达系统。氮化镓晶体管显然对高速，高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。
Si晶体管上的GaN预期的低成本可能甚至允许IGBT器件在较低速度，650V，非常高电流的电源应用中取代其优势。 EPC2218（3.2mΩ，231 Apulsed）和EPC2204（6mΩ，125 Apulsed）的导通电阻比上一代eGaN FET低近20％，额定直流功率得以提高。
与基准硅器件相比，这两个GaN器件具有更高的性能。 GaN的答案是为每个器件的尺寸建立泄漏电流极限。
国际整流器显示的典型泄漏电流为600V级联。这样可实现每毫米栅极宽度小于50 nA的泄漏电流。
必须在额定电压及更高电压下封锁设备。 EPC2204的导通电阻降低了25％，但尺寸却减小了3倍。
与参考硅MOSFET器件相比，其栅极电荷（QG）不到50％，并且像所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），因此D类音频放大器可以实现更低的失真和更高的效率同步整流器和电动机驱动器。简单的级联电路无法提供压摆率控制，这使得PC板布局至关重要。
此外，栅极驱动器的特性部分受封装内部串联连接的源极电感的控制。 EPC的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow表示：“每个人都希望100 V eGaN FET的最新一代和卓越性能更加昂贵。
但是，这些最新的100 V晶体管的价格与等效的老化设备相似。我们是设计工程师提供的氮化镓器件的优点是更高的性能，更小的尺寸，更高的散热效率和相似的成本。
氮化镓器件正在加速功率MOSFET器件的替换。 “以上是氮化镓（eGaN）功率场效应。
对晶体管知识的详细分析要求每个人都不断积累实践经验，以便设计出更好的产品并更好地发展我们的社会。