随着社会的快速发展，我们当前的评分模块也在快速发展，那么您是否知道当前评分模块的详细分析？接下来，让编辑器带领您学习更多有关的知识。
英飞凌科技公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）已为其1200 V TRENCHSTOP™IGBT7系列推出了新的额定电流模块。
这使Easy 1B和2B产品系列更加完整。
现在可以结合最新的芯片技术，在PIM拓扑中实现高达11 kW的电源解决方案，或者在六单元拓扑中实现高达22 kW的电源解决方案。
客户可以选择这种方式：用IGBT7技术替换IGBT4以使用Easy 2B模块增加系统功率，或者在某些情况下用Easy 1B IGBT7替换Easy 2B IGBT4以减少获得相同功率所需的电路板面积。
与以前发布的TRENCHSTOP IGBT7 Easy模块一样，新的额定电流模块完全可以满足工业驱动器的设计需求。
IGBT绝缘栅双极晶体管是由BJT（双极晶体管）和MOS（绝缘栅场效应晶体管）组成的复合全控电压驱动功率半导体器件，结合了MOSFET和GTR的高输入阻抗低传导压力的两个优点降低。
与前几代产品相比，TRENCHSTOP IGBT7芯片可带来更高的功率密度，大大降低损耗，并在电机驱动应用中实现高度可控性。
所有采用这种新芯片技术的模块都设计为与上一代TRENCHSTOP IGBT4模块引脚兼容。
这有助于制造商缩短新逆变器平台的设计周期。
GTR的饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大； MOSFET驱动功率小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和降低的饱和电压。
TRENCHSTOP IGBT7芯片基于新的微沟槽技术，其静态损耗远低于IGBT4芯片，其导通电压降低了20％。
这样可以大大减少应用中的损耗，尤其是对于通常以中等开关频率工作的工业电机驱动器而言。
新电源模块允许的最大过载结温度为175°C。
此外，它们具有更柔和的开关特性。
以上是对当前评分模块相关知识的详细分析。
我们需要继续在实践中积累经验，以便我们可以设计更好的产品并更好地发展我们的社会。
