美光推出1αDRAM处理技术:内存密度提高40%,节能15%

1月27日消息,内存和存储解决方案供应商美光科技公司今天宣布,批量生产基于1α(1-alpha)节点的DRAM产品。

该工艺是目前世界上最先进的DRAM技术,在密度,功耗和性能方面都有重大突破。

美光科技表示,与上一代1zDRAM工艺相比,1α技术将存储密度提高了40%。

美光计划今年将1α节点全面引入其DRAM产品线,以更好地支持各种DRAM应用,从而为包括移动设备和智能车辆在内的各种应用提供更强大的性能。

美光的1α技术节点使存储器解决方案更加节能,可靠,并为需要最佳低功耗DRAM产品的移动平台带来了更快的LPDDR5。

美光为移动行业提供了最低功耗的DRAM平台,实现了15%的节能,使5G用户可以在不牺牲电池寿命的情况下在手机上执行更多任务。

IT Home获悉,美光的1α高级存储节点可提供8Gb至16Gb的密度,这将有助于美光现有的DDR4和LPDDR4系列产品延长生命周期,并为服务器,客户端,网络和嵌入式领域的美光客户提供更低的功耗消费,更可靠的产品和更全面的产品支持,从而降低了客户重新验证的成本。

对于汽车嵌入式解决方案,工业PC和具有较长产品生命周期的边缘服务器等应用场景,1α工艺还保证了在整个系统生命周期中拥有更有利的总拥有成本。

美光在中国台湾的工厂已开始批量生产1α节点DRAM。

首批出货的产品是用于计算市场的DDR4内存和Crucial消费类PCDRAM产品。

美光还开始向移动客户提供LPDDR4样品,以进行验证。

该公司将于2021年推出更多基于该技术的新产品。

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采样电阻一般根据具体线路板的要求,分为插件电阻、贴片电阻。采样电阻,阻值低,精密度高,一般在阻值精密度在±1%以内,更高要求的用途时会采用0.01%精度的电阻。国内工厂生产的大部分都是以康铜、锰铜为材质的插件电阻,但是,广大的用户更需要的是贴片的高精密电阻来实现取样功能,这是为了满足产品小型化产品生产的自动化的要求。能够生产在低温度系数,高精密度,超低阻值上做到满足用户要求电阻的厂商并不多见。

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