iPhone12的性价比已被小米高管认可

在大多数国内消费者的印象中,iPhone是最赚钱的手机,而且没有人。这主要是因为以前的iPhone暴露出来的材料成本相对较低,但是iPhone的价格却更昂贵。
这是真的吗? 1月8日,Counterpoint分析师宣布了iPhone12的材料成本。 Counterpoint分析师表示,生产128GB的iPhone12mmWave(毫米波),成本高达431美元,折合人民币约2800元,比iPhone11高出26%。
美版iPhone 12的128GB版本售价为799美元,约合人民币5,200元。如果仅查看材料成本和价格,iPhone 12确实不便宜。
但是,小米工业投资部的合伙人潘久堂认为,iPhone 12已经是一款高性价比的手机。潘九堂指出,由于欧美零售渠道成本高昂,苹果通过其强大的品牌影响力大幅度降低了渠道成本。
iPhone 12的零售价和成本一直被认为是认真且具有成本效益的。据了解,在iPhone 12上,应用程序处理器,5G基带,显示器和5G射频组件是增加机器成本的主要领域。
众所周知,苹果将iPhone12处理器从A13仿生芯片升级到A14芯片,并采用了更先进的5nm工艺。尽管性能提升不大,但采用5nm工艺不可避免地会导致成本增加。
当然,iPhone 12的最大升级是5G网络。 2020年,苹果与高通达成和解,并签署了为期六年的芯片供应协议。
iPhone 12通过插入Qualcomm Snapdragon X55基带实现了SA / NSA双模块网络。此外,iPhone 12的屏幕材料也已从LCD转向OLED,该报告称这导致成本增加了23美元以上。
由此推论,国行版iPhone12(128GB)的售价为6799元,确实只为交友。潘九堂在肯定iPhone 12的成本效益的同时,也赞扬了Mi 11。
他说,Mi 11和iPhone 12的价格处于同一水平。但是你应该知道小米Mi 11的价格仅为3999元,这说明小米确实做到了极致的定价。
但是,有消息称,苹果公司也付出了很多努力来控制成本。据报道,苹果已经压制组件供应商的价格,以帮助抵消新5G技术的成本增加并最大程度地降低提价需求。
此外,苹果分析师郭明-还表示,苹果在2021年推出的新款iPhone iPhone13系列将更具创新性,并采用纯软板设计。可以理解的是,电池软板技术具有节省空间,降低成本的优点。
与iPhone12相比,这项技术的加入将使iPhone13的成本降低30%-40%。可以预见,iPhone将来可能会继续保持成本效益。
那么,您认为iPhone12的定价是否合理?

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: momo@jepsun.com

产品经理: 李经理

QQ: 2215069954

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
  • 聚鼎1.0SMBJ瞬态抑制二极管TVS管参数应用及价格 聚鼎1.0SMBJ瞬态抑制二极管(TVS管)是电子设计中常用的保护元件,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他电压瞬变的影响。这类器件在工业控制、通信设备、计算机接口、消费电子产品等领域有着广泛的应...
  • 聚鼎AMPC-H瞬态抑制二极管车规TVS管的应用与特性 在汽车电子领域,瞬态抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,简称TVS)作为重要的保护元件,其作用不可小觑。聚鼎科技推出的AMPC-H系列瞬态抑制二极管专为车规级应用设计,具有卓越的性能和可靠性。首先,AMPC-H系列TVS管具备出...
  • 聚鼎AMPA-H瞬态抑制二极管车规TVS管参数与应用 聚鼎科技推出的AMPA-H系列瞬态抑制二极管(TVS管)是专为汽车电子领域设计的产品,旨在提供卓越的保护性能,以应对各种瞬态电压冲击。在当前的汽车电子系统中,由于复杂的电气环境和高频率的电子设备使用,瞬态电压冲击...
  • 聚鼎AMPB-H瞬态抑制二极管车规TVS管参数与应用解析 在现代汽车电子系统中,瞬态电压抑制(Transient Voltage Suppressor, TVS)二极管扮演着至关重要的角色,它们被广泛应用于保护车载电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)、雷击和其他电压瞬变的影响。聚鼎科技推出的...
  • 高精密贴片电阻阻值表标准阻值表E-96 0603F(+1%) Standard Resistance Table 标准阻值表1 E-96 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 10 01X 100 01A 1.00K 01B 10.0K 01C 100K 01D 1M 01E 10.2 02X 102 02A 1.02K 02B 10.2K 02C 102K 02D 10.5 03X 105 03A 1.05K 03B 10.5K 03C 105K 03D 10.7 04X 107 04A 1.07K 04B 10.7K 04C 107K 04D 11 05...
  • 已知功率求电阻大小 在由电阻器、电容器和电感器组成的电路中,只有电阻器消耗功率。如果通过电阻器的电流是已知的,根据电流和电压、电阻关系公式代入为:P=UI=I ^2*RR=P/I^2如果电阻器两端的电压已知,则:P=用户=U^2/RR=U^2/P。例如:已知电阻额...
  • 美国霍尼韦尔经济型行程开关:性能与性价比的完美结合 美国霍尼韦尔公司生产的经济型行程开关是一种广泛应用于工业自动化领域的高品质产品。这款行程开关设计简洁、紧凑,易于安装和维护,适用于多种环境条件。它主要通过机械运动部件的位置变化来实现电路的接通或断开,...
  • 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
  • 接近开关WSC1808-N:高性能与广泛应用 接近开关WSC1808-N是一款高性能的感应设备,它主要应用于自动化控制系统中,用于非接触检测物体的存在或位置。这款接近开关具有体积小巧、安装方便的特点,同时具备较高的检测精度和快速响应时间,能够在各种工业环境中...
  • P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
  • MOS管H桥MOSFET工作原理及应用 在电子工程领域,特别是电机控制、机器人技术以及直流电机调速系统中,MOS管H桥(MOSFET H-bridge)是一种非常常见的电路结构。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为开关元件,在H桥电路中起到关键作用,能够实现电流的...
  • N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
  • 4平方毫米铜芯线每米电阻约为0.00431欧姆 在电气工程领域中,了解电线的电阻对于设计和安装安全有效的电路至关重要。以常见的4平方毫米铜芯线为例,其电阻值是衡量该类型电线性能的重要指标之一。根据铜的标准电阻率,在20°C时,纯铜的电阻率为0.01724 Ω·mm²/m,...
  • P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
  • P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...