英特尔宣布了新的混合动力封装：凸点密度猛增了25倍

在英特尔的六大技术支柱中，封装技术和工艺技术并存，这是基础。在过去的两年中，英特尔还不断展示其各种先进的封装技术，包括Foveros，Co-EMIB，ODI，MDIO等。
今天，英特尔宣布了一项新的“ Hybrid Bonding”计划。可以代替“热压粘合”的材料。
如今已用于大多数包装技术中。据报道，混合键合技术可以加速实现10微米及以下的凸点间距，从而提供更高的互连密度，更小更简单的电路，更大的带宽，更低的电容和更低的功率。
消耗（每位小于0.05皮焦耳）。英特尔当前的3D Foveros三维封装技术可以实现约50微米的凸点间距，每平方毫米集成约400个凸点，而新的混合键合技术的应用不仅可以将凸点间距降低到每平方毫米1/5以毫米为单位的凸起数量也可以超过10,000，这是完整数量的25倍。
使用混合封装技术的测试芯片已在2020年第二季度发布，但英特尔没有透露其未来将商业化的产品。 Foveros封装的Lakefield。