联想ThinkPad T14s Ryzen Edition笔记本硬件狗跑分测评

在本文中,编辑人员将在Lenovo ThinkPad T14s Ryzen Edition笔记本电脑上进行硬件测试,以评估其性能。硬件Doggo是由驾驶室生产的专业硬件检测和运行评分工具,非常适合主流PC播放器。
依靠快速技术自主开发的算法和权威的测试模块(例如3DMark),它可以快速,准确而全面地检测PC计算机的整体配置,并对计算机的CPU处理器,GPU图形卡,内存,和硬盘。机器性能,以及通过全球性能排名,您可以一目了然地了解您的性能水平。
通过硬件狗测试,ThinkPad T14s Ryzen Edition的CPU得分为102865分,显卡得分为25175分,内存得分为21953分,硬盘得分为20510分,整机总体得分是170494点,在数据库中排名63%。 ,性能已达到中上水平。
最后,编辑衷心感谢大家的阅读。每次阅读时,对编辑都是一种极大的鼓励。
最后,祝大家有个美好的一天。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • GB/T 1- 整流变压器与1.24V参考电压组件协同设计实践 GB/T 1- 整流变压器与1.24V参考电压组件的协同优化设计随着电力电子设备向智能化、高效化发展,整流变压器的设计不再局限于简单的变压功能,而是需要集成先进的控制策略。在此背景下,1.24V参考电压组件与国家标准 GB/T 1- 的...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的性能对比及应用解析 TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的核心技术优势在现代电子设备中,TSS管(Transient Suppressor Semiconductor)与聚鼎品牌PXXXX系列电感(包括T型与S型)因其卓越的瞬态抑制能力和高可靠性,广泛应用于电源管理、通信设备和工业控制领域。以下...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
  • OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
  • 如何选择合适的聚鼎PXXXX T/S电感与TSS管搭配方案 基于应用场景的TSS管与聚鼎电感选型策略在实际工程设计中,合理匹配TSS管与聚鼎PXXXX系列电感是保障系统可靠性的关键。以下是根据不同应用场景的推荐搭配方案。1. 高频开关电源系统推荐配置:选用聚鼎PXXXX-T型电感 + 高速响...
  • 聚鼎PXXXX T与S电感对比:性能差异与工程选型策略 聚鼎PXXXX T vs S电感:全面性能对比与工程实践指南面对日益复杂的电子系统设计需求,如何在“聚鼎PXXXX T”与“聚鼎PXXXX S”两款电感之间做出最优选择?本文从结构、性能、适用场景三个维度展开深度对比,并提供实用的工程选...
  • 符合GB/T标准的讯号切换器性能评估与选型指南 GB/T标准下讯号切换器的质量保障体系在中国,符合国家标准GB/T系列规范的讯号切换器需通过严格的电磁兼容性(EMC)、安全性、环境适应性等多项检测。这些标准不仅确保产品可靠性,也为企业采购提供明确的技术依据。1. 关键...
  • P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
  • P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
  • ABB塑壳断路器(S系列.T系列): 高效可靠的配电解决方案 ABB塑壳断路器以其卓越的性能和可靠性在电气行业中享有盛誉。S系列和T系列作为ABB断路器中的佼佼者,分别针对不同的应用领域提供了高效且灵活的解决方案。S系列塑壳断路器设计紧凑、功能全面,适用于各种工业及商业环境...