电容式麦克风是将声音信号转换为电信号的能量转换装置，并且是与扬声器正好相反的装置（电→声音）。
它是声音设备的两个端子，麦克风是输入，扬声器是输出。
也称为麦克风，麦克风，麦克风。
以全向MIC和膜片式极环连接为例。
1.防尘网：保护麦克风头，防止灰尘落在隔膜上，防止外部物体刺穿隔膜，并具有短期防水效果。
2，外壳：整个麦克风头的支撑，其他部分都封装在外壳中，是麦克风的接地点，也可以起到电磁屏蔽的作用。
3.隔膜：它是声电转换的主要组成部分。
它是一个紧密的Teflon塑料薄膜粘在薄金属环上。
薄膜与金属环接触的一面涂有薄金属层。
该膜可以带电，并且也是构成可变电容器的电极板，并且是可以振动的板。
4.垫片：支撑电容器两块板之间的距离，留出间隙，为膜片振动提供空间，从而改变电容。
5.背板：电容器的另一个电极连接到FET（FET）的G（栅极）极。
6.铜环：连接FET（场效应晶体管）的极板和G（栅极）极并支撑它。
7.腔体：固定极板和极环，防止极板和极环短路（FET（场效应晶体管）的S（源极），G（栅极）极短路）。
8，PCB组件：配备FET，电容器等器件，还起到固定其他部件的作用。
9. PIN：某些麦克风的PCB上有PIN（脚）。
它们可以通过PIN与其他PCB焊接在一起。
其他前极连接，后极型结构略有不同。
从静电学中可知，对于平行板电容器，获得以下关系：C =εS/4πkd... 1，即电容器的容量与介质的介电常数成比例，与面积成比例两个极板和两个极板之间的距离成反比。
另外，当电容器充有一定量的Q时，电容器的两个极板必须形成一定的电压，具有以下关系：C = Q / V ...... 2对于驻极体麦克风，里面有振动。
由膜，垫圈和板组成的电容器。
由于膜充满电荷并且是塑料膜，当膜片受到声压时，膜片振动，从而改变膜片和板。
它们之间的距离改变了电容器的两个极板之间的距离，并且产生了Δd的变化。
因此，从等式1可知，ΔC的变化是不可避免的，并且等式2也知道由于ΔC的变化引起的充电再次固定电荷，因此ΔV的变化是不可避免的。
这最初完成了从声学信号到电信号的转换。
由于该信号非常弱，内部电阻非常高，不能直接使用，因此也进行阻抗变换和放大。
FET FET是电压控制元件，其输出电流由源极和栅极电压控制。
由于电容器的两极连接到FET的S和G极，因此在FET的S极和G极之间增加Δv的变化，并且FET的漏极电流I产生ΔID的变化。
数量，因此该电流的变化量在电阻器RL上产生ΔVD的变化。
可以通过电容器C0输出该电压的变化量。
该电压的变化量是由声压引起的，因此整个麦克风就完成了。
声音和电源的转换过程。
麦克风的测试条件; MIC的使用应规定其工作电压和负载电阻。
不同的使用条件对灵敏度的大小有很大影响。
电压电阻1.麦克风的电流消耗主要是VSG中的FET。
根据FET的分级，可以将= 0的电流制成具有不同工作电流的麦克风。
然而，对于低工作电压和高负载电阻，对工作电流有严格的要求。
电气原理图显示VS = VSD + ID×RL ID =（VS-VSD）/ RL，其中ID FET在VSG处等于零。
电流RL是负载电阻VSD，即FET的S和D之间的电压降VS是标准工作电压。
总要求是100μA<100。
IDS＆lt; 500μA2。
灵敏度：在单位声压下产生电压的能力。
单位：V / Pa或dBV / Pa有些公司使用dBV /μBar-40 dBV / Pa = -60dBV /μBar0dBV / Pa = 1V / Pa声压Pa = 1N / m2 3.输出阻抗：基本等效负载电阻RL（1-70％）。
4，方向和频率响应特性曲线：a，全向：MIC灵敏度在相同距离的任何方向上相等，全方位MIC的结构全部密封在PCB上，因此，声压仅来自MIC声音孔进入，因此是压力型麦克风。
频率特性图：b。
单向单向MIC具有方向性。
如果MIC的音孔与声源相距0度，则灵敏度在0度时最高，灵敏度在180度时最低，并且心形是全方位的。
单向MIC的结构不同于全向MIC的结构。
它在PCB上有一些孔。
声音可以从音孔和PCB的开口进入。
MIC内部还配备了吸音材料，因此介于两者之间。
MIC之间的压差。
频率特性图：c。
去噪类型：差压式MIC。
它与单向MIC的不同之处在于内部没有吸音材料，其方向图为8字形频率特性：5。
频率范围：方向：50~12000Hz 20~16000Hz单向：100~12000Hz 100~16000Hz去噪：100~10000Hz 6.最大声压级：指失真为3％时MIC的声压级，声压级定义为：20μpa= 0dBSPL MaxSPL为115dBSPLA SPL声压级A为加权7，S / N信噪比：在相同条件下MIC的灵敏度与麦克风本身的噪声之比。
有关详细信息，请参阅产品手册噪声主要是FET本身。
噪声
