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电容麦克风

电容式麦克风是将声音信号转换为电信号的能量转换装置,并且是与扬声器正好相反的装置(电→声音)。它是声音设备的两个端子,麦克风是输入,扬声器是输出。也称为麦克风,麦克风,麦克风。以全向MIC和膜片式极环连接为例。 1.防尘网:保护麦克风头,防止灰尘落在隔膜上,防止外部物体刺穿隔膜,并具有短期防水效果。 2,外壳:整个麦克风头的支撑,其他部分都封装在外壳中,是麦克风的接地点,也可以起到电磁屏蔽的作用。 3.隔膜:它是声电转换的主要组成部分。它是一个紧密的Teflon塑料薄膜粘在薄金属环上。薄膜与金属环接触的一面涂有薄金属层。该膜可以带电,并且也是构成可变电容器的电极板,并且是可以振动的板。 4.垫片:支撑电容器两块板之间的距离,留出间隙,为膜片振动提供空间,从而改变电容。 5.背板:电容器的另一个电极连接到FET(FET)的G(栅极)极。 6.铜环:连接FET(场效应晶体管)的极板和G(栅极)极并支撑它。 7.腔体:固定极板和极环,防止极板和极环短路(FET(场效应晶体管)的S(源极),G(栅极)极短路)。 8,PCB组件:配备FET,电容器等器件,还起到固定其他部件的作用。 9. PIN:某些麦克风的PCB上有PIN(脚)。它们可以通过PIN与其他PCB焊接在一起。其他前极连接,后极型结构略有不同。从静电学中可知,对于平行板电容器,获得以下关系:C =εS/4πkd... 1,即电容器的容量与介质的介电常数成比例,与面积成比例两个极板和两个极板之间的距离成反比。另外,当电容器充有一定量的Q时,电容器的两个极板必须形成一定的电压,具有以下关系:C = Q / V ...... 2对于驻极体麦克风,里面有振动。由膜,垫圈和板组成的电容器。由于膜充满电荷并且是塑料膜,当膜片受到声压时,膜片振动,从而改变膜片和板。它们之间的距离改变了电容器的两个极板之间的距离,并且产生了Δd的变化。因此,从等式1可知,ΔC的变化是不可避免的,并且等式2也知道由于ΔC的变化引起的充电再次固定电荷,因此ΔV的变化是不可避免的。这最初完成了从声学信号到电信号的转换。由于该信号非常弱,内部电阻非常高,不能直接使用,因此也进行阻抗变换和放大。 FET FET是电压控制元件,其输出电流由源极和栅极电压控制。由于电容器的两极连接到FET的S和G极,因此在FET的S极和G极之间增加Δv的变化,并且FET的漏极电流I产生ΔID的变化。数量,因此该电流的变化量在电阻器RL上产生ΔVD的变化。可以通过电容器C0输出该电压的变化量。该电压的变化量是由声压引起的,因此整个麦克风就完成了。声音和电源的转换过程。麦克风的测试条件; MIC的使用应规定其工作电压和负载电阻。不同的使用条件对灵敏度的大小有很大影响。电压电阻1.麦克风的电流消耗主要是VSG中的FET。根据FET的分级,可以将= 0的电流制成具有不同工作电流的麦克风。然而,对于低工作电压和高负载电阻,对工作电流有严格的要求。电气原理图显示VS = VSD + ID×RL ID =(VS-VSD)/ RL,其中ID FET在VSG处等于零。电流RL是负载电阻VSD,即FET的S和D之间的电压降VS是标准工作电压。总要求是100μA<100。 IDS< 500μA2。灵敏度:在单位声压下产生电压的能力。单位:V / Pa或dBV / Pa有些公司使用dBV /μBar-40 dBV / Pa = -60dBV /μBar0dBV / Pa = 1V / Pa声压Pa = 1N / m2 3.输出阻抗:基本等效负载电阻RL(1-70%)。 4,方向和频率响应特性曲线:a,全向:MIC灵敏度在相同距离的任何方向上相等,全方位MIC的结构全部密封在PCB上,因此,声压仅来自MIC声音孔进入,因此是压力型麦克风。频率特性图:b。单向单向MIC具有方向性。如果MIC的音孔与声源相距0度,则灵敏度在0度时最高,灵敏度在180度时最低,并且心形是全方位的。单向MIC的结构不同于全向MIC的结构。它在PCB上有一些孔。声音可以从音孔和PCB的开口进入。 MIC内部还配备了吸音材料,因此介于两者之间。 MIC之间的压差。频率特性图:c。去噪类型:差压式MIC。它与单向MIC的不同之处在于内部没有吸音材料,其方向图为8字形频率特性:5。频率范围:方向:50~12000Hz 20~16000Hz单向:100~12000Hz 100~16000Hz去噪:100~10000Hz 6.最大声压级:指失真为3%时MIC的声压级,声压级定义为:20μpa= 0dBSPL MaxSPL为115dBSPLA SPL声压级A为加权7,S / N信噪比:在相同条件下MIC的灵敏度与麦克风本身的噪声之比。有关详细信息,请参阅产品手册噪声主要是FET本身。噪声