光电晶体管有两种基本结构，NPN结构和PNP结构。
由N型硅材料制成的NPN结构称为3DU型;由P型硅材料制成的PNP结构称为3NP型。
1）伏安特性当偏置电压为零时，无论照度如何，集电极电流都为零。
偏置电压使得光电晶体管的发射极结正向偏置并且集电极结被反向偏置。
随着偏置电压的增加，伏安特性曲线趋于平坦。
光电晶体管的伏安特性曲线向上倾斜并且间距增大。
这是因为光电晶体管除了光电灵敏度之外还具有电流增益β，并且β值随着光电流的增加而增加。
2）时间响应（频率特性）光电晶体管的时间响应通常与PN结的结构和偏置电路的参数有关。
光电晶体管的时间响应包括以下四个部分：1光生载流子到发射极结电容器Cbe和集电极结电容器Cbc的充电和放电时间;光生载流子通过基区的2倍时间; 3光生载流子电流收集子集电极的时间; 4由输出电路的等效负载电阻RL和等效电容Cce形成的RC时间;总时间常数是以上四个项。
比光电二极管的时间响应更长。
3）温度特性硅光电二极管和硅光电晶体管的暗电流Id和光电流IL随温度而变化。
由于硅光电晶体管具有电流放大功能，硅光电晶体管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响。
比硅光电二极管大得多。
4）光谱响应光电二极管具有与光电晶体管相同的光谱响应。
其响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μm。
从外观上看，它可以分为罐封闭型和树脂封闭型，每种类型可以分别分为透镜附着型和简单的窗户附着型。
在半导体晶体方言中，材料是硅（Si）和钽。
（Ge），其中大部分是硅。
在晶体结构方面，它可以分为普通晶体管型和达林顿晶体管型。
从使用中分类时，可以将其分为光电晶体管以用于切换动作和需要直线。
光电晶体管，但光电晶体管的主流是交换元件。
当需要线性时，通常使用光电二极管。
实际选择光电晶体管时，应根据参数选择电子管类型。
如果需要高灵敏度，可以选择达林顿。
型光电晶体管;如果响应时间快且温度灵敏度小，则光电二极管不用于光电晶体管。
为了检测暗光，必须选择具有小暗电流的管，并且可以考虑具有基极引线的光电晶体管。
为了通过偏置获得合适的工作点，增加光电流的放大系数。
例如，为了检测10-3勒克斯的弱光，光电晶体管的暗电流必须小于0.1nA。
1.发光光电控制电路当光电器件上有光时，继电器有足够的电流工作。
该电路称为亮光光电控制电路，也称明通控制电路。
最简单的亮亮电路如图所示。
2.暗通光电控制电路如果光电继电器在未点亮时可以激活继电器，并且在点亮时释放继电器，则称为暗通控制电路。
3.按纸张监视器打印机纸张监视器可以自动监视是否一次打印一张纸张。
如果不是，则会发出警报并停止打印。
完成纸张后，开始工作。
