2020年英特尔TOP3技术创新:10纳米工艺位居第二

2020年将在不到两周的时间内结束。

今年年底是另一个回顾和总结的季节。

英特尔今年有哪些技术创新?芯片行业的内部人士对此发表了评论,而10nm SuperFin工艺排名第二。

此选择由Twitter用户Witeken启动。

他不仅打破了最新的AMD / Intel信息,而且还是芯片行业的专家。

选择主要是在芯片技术水平上,并且非常专业。

根据他的选择,英特尔在2020年的第一项重大技术创新是Lakefield处理器上的Foveros 3D堆栈。

这是一种新的3D打包技术,可以将不同技术的IP内核打包在一起。

Lakefield的5个核心是1。

一个大和四个小,分别使用10nm和22nm工艺。

第二项创新是Tiger Lake上的第一个10nm SuperFin工艺。

这也是英特尔今年CPU技术最重要的进步。

它使用全新的Super MIM设备,并声称在单个节点上实现了最大的性能提升,超过15%。

尽管通过查看工艺编号,很多人认为英特尔的10nm SF工艺不及台积电的7nm和5nm先进,但请不要忘记英特尔在半导体技术方面的基础仍然存在,并且10nm工艺确实存在许多创新。

您可以在此处了解更多信息。

第三项重大创新是硅基光电。

带宽是PCIe 6.0的6倍。

这也是英特尔未来半导体技术的关键领域。

光电技术也处于领先地位,但尚未大规模商业化。

另外还有三项新技术,涉及低温工艺,A,MX指令集和Statix 10 NX FPGA芯片等,比前三项更加专业。

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采样电阻一般根据具体线路板的要求,分为插件电阻、贴片电阻。采样电阻,阻值低,精密度高,一般在阻值精密度在±1%以内,更高要求的用途时会采用0.01%精度的电阻。国内工厂生产的大部分都是以康铜、锰铜为材质的插件电阻,但是,广大的用户更需要的是贴片的高精密电阻来实现取样功能,这是为了满足产品小型化产品生产的自动化的要求。能够生产在低温度系数,高精密度,超低阻值上做到满足用户要求电阻的厂商并不多见。

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