您知道功能强大的GaN-on-SiC晶体管吗？ Qorvo＆amp; reg ;, Inc.（NASDAQ：QRVO）是为移动应用，基础设施和航空航天以及国防应用提供射频解决方案的领先供应商，今天推出了全球功率最高的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）射频晶体管-QPD1025。 QPD1025在65 V电压下运行1.8KW，可提供出色的信号完整性和更大的范围，这对于L波段航空电子应用至关重要。 Strategy Analytics战略技术实践执行总监Asif Anwar说：“ Qorvo的QPD1025晶体管是市场上真正的颠覆性产品。与硅基LDMOS和硅双极型器件相比，它不仅具有相同的脉冲功率，而且占空比性能也得到了显着提高。 Qorvo推出的这种高功率，高效率的解决方案在热管理过程中不需要使用高温材料（例如金刚石），并且具有很高的成本效益。大功率解决方案部总经理Qorvo Roger Hall表示：“这种新型的大功率晶体管无需放大器的复杂操作即可实现多千瓦的解决方案，从而可以大大节省客户的费用。时间和成本。与LDMOS相比，QPD1025的泄漏效率得到了极大的改善，效率提高了近15％，这对于IFF和航空电子应用非常重要。 “ Qorvo提供了业界最多样化和创新的GaN-on-SiC产品组合。 Qorvo产品具有功率密度高，体积小，增益出色，可靠性高和技术成熟的特点。大规模生产始于2000年。以上是对功能强大的SiC衬底上的GaN的分析，希望对大家有帮助。