MKW Ventures的MarkWebb表示，在未来十年中，两种新兴的非易失性存储器类型（相变存储器和磁RAM）将在独立存储器中处于领先地位。 MarkWebb在最近的Virtual Flash Summit上发表了一系列演讲。他总结说，尽管目前正在开发各种各样的新兴内存技术，但英特尔的相变内存（称为3DXPoint内存或Optane）将在2025年和2030年主导独立的新兴非易失性内存市场，这部分是原因为什么英特尔亏本出售其内存业务。 Webb将新兴内存定义为PCM，MRAM，ReRAM和FeRAM等。它不包括NAND，DRAM，NOR，SRAM，EEPROM等。在这些分析中，Webb并未讨论新兴的嵌入式/ SoC存储器MRAM，而后者已开始引起人们的关注。韦伯认为，到2025年，英特尔提供的PCM将占据独立新兴内存市场的90％，而MRAM仅次于第二，并将在2030年继续保持这种势头。韦伯说，尽管英特尔亏本出售了相变内存。但是韦伯在FMS演讲中说3DXpoint的营业利润率非常低，他估计出售Xpoint会使英特尔每季度损失3亿多美元。韦伯说，尽管随着内存生产规模的扩大，这种损失可能会减少，但这种损失将继续下去。他补充说没关系。永久存储器非常适合数据中心，并且可以将Intel体系结构与AMD和其他竞争对手区分开来。韦伯说，内存余量不是英特尔的目标。韦伯在博客文章中说：“我们预测，Optane的收入将大幅增长。这仅仅是因为英特尔在其中投资了数十亿美元，并且正在为其开发新的总线连接。没有英特尔，除以5到10。“尽管韦伯的分析对于诸如ReRAM和FeRAM之类的替代存储器的支持者似乎是惨淡的，但他提供了一些理由。他指出，在英特尔和美光联合推出PCM五年后，除对英特尔的销售外，美光的年销售额还不到1000万美元。韦伯说，在同意一项技术可行之后，要获得高产量将需要很长时间。韦伯观察到：“如果ReRAM或FeRAM起飞，它将在四到五年内，并且不会取代其他市场。”