自从GF（GF）退出7纳米研发以来，金字塔顶端的先进工艺技术竞争主要在台积电（TSMC），英特尔和三星之间展开。根据最新消息，三星已经重新制定了工艺路线图，并取消了先前用于过渡的4nm工艺。 5nm是FinFET（鳍式场效应晶体管）后，它将直接启动3nm GAAFET（环绕栅晶体管）。至于台积电的3nm，据说第一代是FinFET，总投资高达500亿美元，而风险试生产已经推迟到今年10月。三星的4nm最初定于2021年投入量产，但其真正的身份不过是对5nm的改进而已。对于三星的取消，一方面3nm进展顺利，另一方面，这是市场竞争的需要。如果您可以在台积电之前获得技术难度更高的3nm GAAFET，无疑将为您自己赢得一个相当大的机会。三星此前曾透露，与7nm FinFET相比，3nm芯片可减少50％的能耗并提高30％的性能。另外，最重要的是，三星现任负责人李在勇非常重视芯片代工业务，这一切可能都是他的指示。